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Transistor LDMOS rugerizado

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Siendo el primero que utiliza un nuevo proceso de construcción desarrollado por la fabricante, este transistor LDMOS rugerizado se presenta en un encapsulado cerámico capaz de resistir las condiciones de trabajo más exigentes.

Ampleon, especialista en soluciones de radiofrecuencia para aplicaciones de banda amplia móvil, emisión de radio y televisión, láseres de CO2 y plasma, aceleradores de partículas y control de radar y tráfico aéreo entre otras, anuncia su nuevo transistor LDMOS para aplicaciones ISM.

Es la primera familia de dispositivos de potencia de radiofrecuencia (RF) basada en su tecnología ART (Advanced Rugged Technology), derivada de la probada novena generación de tecnología de proceso LDMOS de alto voltaje.

Este proceso ha sido desarrollado para permitir la implementación de transistores extremadamente rugerizados con un voltaje operativo de hasta 65 V. Y el primer producto en utilizar dicho proceso es el ART2K0FE, un transistor de 2 KW con una frecuencia de respuesta que van desde los 0 hasta los 650 MHz.

Se ofrece en un encapsulado cerámico que dispone de una cavidad de aire, y ha sido diseñado para aguantar las condiciones de trabajo más exigentes que se pueden encontrar en las aplicaciones industriales, científicas o médicas, en tareas entre las que se incluyen la conducción de láseres de CO2 de alta potencia, generadores de plasma, y algunos sistemas MRI.

Así, los dispositivos ART pueden ser utilizables en estas aplicaciones porque son capaces de lidiar con desajustes VSWR (voltage standing-wave ratio) de 65:1 a 65 V, los cuales son fácilmente alcanzables por los generadores de plasma cuando se encuentran en plena operativa.

Además, los dispositivos fabricados utilizando el proceso ART presentan mayores impedancias, lo que los hace más fáciles de integrar en los productos en los que se utilizan durante la fase de desarrollo, asegurando con ello una mayor consistencia del producto durante la producción a escala.

Posibilidades con el transistor LDMOS para aplicaciones ISM

Transistor LDMOS rugerizado

Del transistor LDMOS rugerizado ART2K0FE, en un encapsulado cerámico con cavidad de aire, ya se encuentran disponibles las muestras con circuitos de referencia también disponibles a distintas frecuencias.

Y, para esto, Ampleon también anuncia que dispone de una versión en plástico sobremoldeada, la ART2K0PE. La producción en masa de ambas variantes se espera que dé comienzo en algún momento de la segunda mitad del presente año.

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