Con una pérdida de inserción de solo 0,6 dB a 2,6 GHz y manejo de potencia de 39,5 dBm, el switch de RF SP4T PE42448 de baja pérdida mantiene una linealidad IIP3 de 88,5 dBm.
Pensado para su empleo en la infraestructura inalámbrica de última generación, el switch de RF SP4T PE42448 de baja pérdida trabaja a entre 10 MHz y 6 GHz.
El dispositivo pertenece a la familia UltraCMOS y lo fabrica pSemi, aportando procesos SOI que evitan latch-up y garantizan alta fiabilidad.
Gracias a una pérdida de inserción típica de 0,6 dB a 2,6 GHz y 0,7 dB a 3,8 GHz, los caminos RF mantienen la eficiencia exigida en enlaces de alta capacidad.
Así mismo, la arquitectura optimizada proporciona un IIP3 de 88,5 dBm y una potencia de salida RMS de 39,5 dBm con 11 dB de PAR, habilitando transmisores macro y microcelulares.
Mientras el dispositivo soporta 9 W de media sin degradación, su temperatura de operación alcanza los 115 °C prolongando la vida útil en entornos exigentes.
Por su parte, el encapsulado LGA de 20 pines con huella de 4×4 mm simplifica el diseño compacto de módulos de radiofrecuencia.
Baja pérdida en todo el rango
Con líneas internas equilibradas, la pérdida máxima se mantiene en 0,5 dB hasta los 2,3 GHz, 0,6 dB hasta los 2,7 GHz y 0,7 dB hasta los 3,8 GHz, aumentando únicamente a 2,2 dB en 6 GHz.
Igualmente, el retorno de señal alcanza los 22 dB en banda media, mientras que el aislamiento entre puertos se sitúa en 30 dB a frecuencias sub-2,3 GHz.
Sin embargo, incluso a 5 GHz el aislamiento conserva 19 dB, manteniendo la integridad de los canales en configuraciones MIMO densas.
La variación de fase entre caminos no supera los ±3 grados y el ripple de retardo de grupo permanece por debajo de los 10 ps cada 200 MHz, garantizando coherencia en beamforming analógico.
De este modo, las topologías de fase variable descritas en la nota de aplicación se benefician de cuatro estados perfectamente replicables mediante dos interruptores en cascada.
En cuanto a control, basta con una alimentación de 5 V que demanda 65 µA típicos y una lógica de 1,8 V compatible con JEDEC, simplificando la interfaz con FPGAs o DSPs.
Alta robustez y velocidad de conmutación
El tiempo de establecimiento inferior a 1,8 µs facilita el escaneo dinámico de haces y la reconfiguración de redes adaptativas en tiempo casi real, mientras que la inmunidad ESD de 1 kV HBM y 500 V CDM, junto a la arquitectura inmune a latch-up, reducen riesgos durante la producción y mantenimiento.
La clasificación MSL 3 para el encapsulado respalda procesos de soldadura por refusión habituales en líneas de ensamblaje automatizadas y, además, las tablas de verdad incluyen un pin SEL con resistencia interna de pull-up que permite invertir la asignación de V1 y V2 sin añadir hardware adicional.
Por ello, diseñadores de antenas activas 5G, nodos TD-LTE y módulos de formación híbrida de haces, encuentran en este componente una ruta eficaz hacia configuraciones SP4T de alta potencia.
Finalmente, el presente switch se suministra en cinta y carrete de 3.000 unidades o en kit de evaluación EK42448-01 para caracterización inmediata en laboratorio.
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