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Módulo amplificador de potencia GaN-on-Si

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Con capacidad de montaje flexible, el nuevo módulo amplificador de potencia GaN-on-Si multifase de banca ancha MAMG-100227-010 cubre el rango de frecuencias de 225 a 2600 MHz.

MACOM Technology amplía su catálogo de amplificadores de potencia (PA) GaN-on-Si con la introducción del nuevo módulo de banda ancha MAMG-100227-010, optimizado para uso en sistemas de radio móvil terrestre (LMR), comunicaciones inalámbricas de seguridad pública y comunicaciones tácticas militares y contramedidas electrónicas (ECM).

Combinando la eficiencia de diseño de una arquitectura de PA de dos fases de 50 Ω con capacidad de configuración de montaje, el MAMG-100227-010 aporta mejoras en flexibilidad a la hora de cumplir los requisitos SWaP.

El nuevo módulo se beneficia de la tecnología MACON GaN-on-Si para proporcionar un ancho de banda de frecuencia de 225 a 2600 MHz, con potencia de salida de 10 W CW, eficiencia añadida de potencia (PAE) del 40 por ciento sobre la banda, ganancia de potencia típica de 22 dB y operación de hasta 36 V (típica de 28 V).

Disponible en un encapsulado laminado de cavidad de aire de 14 x 18 mm con disipador de calor de cobre chapado en oro, el MAMG-100227-010 elimina la necesidad de componentes adicionales y espacio de PCB adicional, con capacidad de acceso superior e inferior para mejorar el montaje.

Módulo amplificador de potencia GaN-on-Si

“El módulo amplificador MAMG-100227-010 se basa en nuestras soluciones GaN-on-Si de elevado rendimiento con fiabilidad probada sobre el terreno”, afirma Mark Murphy, Director de Marketing de RF Power & Basestation de MACOM. “Este modelo ejemplifica la experiencia de MACOM al ofrecer un amplio rango de frecuencias de banda ancha y niveles de potencia”.

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