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LNAs GaN con entrada protegida

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Con excelentes propiedades térmicas, la nueva gama de LNAs GaN con entrada protegida cuenta, por el momento, con tres ejemplares.

Pasternack Enterprises, marca de Infinite Electronics dedicada a los productos de radiofrecuencia, microondas y ondas milimétricas, anuncia el lanzamiento de sus nuevos amplificadores de bajo ruido (low noise) con entrada protegida y basados en la tecnología GaN (nitruro de galio) más puntera.

Están pensados para su uso en aplicaciones de guerra electrónica, ECM, microondas de radio, VSAT, SATCOM, radar, sistemas espaciales, investigación y desarrollo, prototipado y pruebas de concepto, y prueba y medición.

Son, concretamente, tres dispositivos: el PE15A1075, el PE15A1073, y el PE15A1074.

Características por cada modelo

El PE15A1075 trabaja en la banda de frecuencias que va desde 1 hasta 7 GHz, con una entrada máxima de potencia (CW) de +30 dBm, una ganancia de pequeña señal típica de 42 dB, una figura de ruido típica de 1,5 dB, una salida P1dB típica de +22 dBm, una salida de potencia saturada típica de +25 Psat, una salida IP3 típica de +31 dBm, alimentación típica de 24/200 VlmA, y un conector SMA.

Este último aspecto, el conector SMA, lo comparte con las otras dos unidades de la gama, siendo la primera de estas el PE15A1073, que trabaja en una banda de frecuencia de entre 5 y 13 GHz. Sus características son: entrada máxima de potencia de +34 dBm, ganancia de pequeña señal típica de 44 dB, figura de ruido típica de 1,8 dB, salida P1dB típica de +22 dBm, salida de potencia saturada típica de +25 Psat, salida IP3 típica de +31 dBm, y alimentación típica de 24/160 VlmA.

LNAs GaN con entrada protegida

Finalmente, el PE15A1074 opera en la banda de frecuencia que va desde 1 GHz hasta 23 GHz, con una entrada máxima de potencia de +40 dBm, ganancia de pequeña señal típica de 29 dB, figura de ruido típica de 3,5 dB, salida P1dB típica de +20 dBm, salida de potencia saturada típica de +23 Psat, salida IP3 típica de +32 dBm, y alimentación típica de 24/250 VlmA.

Además, los tres modelos de LNAs GaN también ofrecen unas excelentes propiedades térmicas y un voltaje de ruptura significativamente mayor, lo cual da como resultado una tolerancia a niveles más altos de señal de potencia de entrada de radiofrecuencia mientras se mantiene un excelente rendimiento de figura de ruido bajo.

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