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Transistores de potencia RF 32T32R

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Diseñados para aportar menor peso y volumen a los sistemas de antenas activas, los transistores de potencia RF 32T32R permiten ampliar la cobertura de la 5G.

La holandesa NXP Semiconductors presenta su nueva familia 32T32R de transistores de potencia de radiofrecuencia para utilizar en aplicaciones MIMO masivas de la 5G.

Para esto, se basan en la más reciente tecnología GaN (nitruro de galio) propietaria de la misma firma fabricante, esta nueva serie llega para complementar el catálogo existente de amplificadores de potencia GaN para las radios 64T64R.

Gracias a ellos, NXP puede cubrir todas las bandas de frecuencia celular, desde los 2,3 hasta los 4 GHz, y consigue ofrecer, según declaraciones procedentes de la propia firma holandesa, el mayor catálogo de GaN RF para radios 5G que integran capacidad MIMO masiva.

La mayoría de los transistores de potencia RF 32T32R comparten el mismo encapsulado de tipo DFN con un tamaño de 7×6,5, y presentan un pico de nivel de potencia de 47,4 dBm (55 W) y 50,4 dBm (110 W).

Tecnología al servicio del resultado

Inicialmente, la tecnología GaN RF de baja memoria de NXP ha sido diseñada para proporcionar una alta linealidad, y los dispositivos de la gama 32T32R ofrecen compatibilidad pin a pin a través de bandas de potencia y frecuencia para reutilizar el diseño. Son un tipo de dispositivo de alta eficiencia para optimizar el consumo energético y disminuir tanto el tamaño como el peso de la unidad de radio.

Transistores de potencia RF 32T32R

Así, al combinar 32 antenas en vez de 64, permite mantener la cobertura con un coste inferior, pero sin dejar de ofrecer la experiencia 5G de alto nivel que habilita la MIMO masiva.

Para los interesados, en la documentación de esta serie y de la 64T64R podemos encontrar más datos y algún esquema de uso habitual. Están destinados a su empleo en sistemas de antenas activas para desplegar en áreas urbanas o suburbanas.

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