Fairview Microwave, una marca Infinite Electronics y proveedor de componentes de radiofrecuencia (RF), microondas y onda milimétrica, anuncia una nueva serie de amplificadores de bajo ruido (LNA GaN) que son idóneos en aplicaciones de guerra electrónica (EW), radares, sistemas espaciales, I+D, prototipado/proof of concept, ECM, radio por microondas, VSAT, SATCOM y test y medida.
La nueva serie de LNA se caracteriza por una tecnología de semiconductor de nitruro de galio (GaN) que ofrece protección de alimentación de entrada y un alto rendimiento con una excelente relación de potencia a volumen, ideal en aplicaciones de elevada potencia de banda ancha.
Estos amplificadores también se distinguen por tensión de ruptura que respalda una mayor tolerancia de los niveles de señal de potencia de entrada RF, manteniendo una figura de ruido muy baja.
Esto es posible sin necesidad de un circuito limitador de entrada como sucede en otras tecnologías de semiconductor.
Las novedades cubren las bandas de frecuencia de onda milimétrica y microondas deseables.
Las características adicionales incluyen ganancia de hasta 46 dB, gestión de potencia de entrada RF de hasta 10 W CW, frecuencias de banda ancha de 1 a 23 GHz y figuras de bajo ruido de 1,5 dB.
Además, poseen un diseño coaxial compacto y robusto (mil-grade), excelentes propiedades térmicas y conectores SMA.
“Los diseñadores RF encontrarán una solución extremadamente útil en estos LNA GaN para las cadenas de receptor que pueden ser sensibles a las condiciones de señal de entrada RF superiores”, afirma Tim Galla, Senior Product Line Manager de Fairview Microwave. “Ideales en aplicaciones de elevada potencia de banda ancha”.
Existe más información de los LNA con entrada protegida en este enlace.
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