El SoC SYN20708 ofrece conectividad simultánea con Bluetooth Classic, BLE, Zigbee y Thread, asegurando bajo consumo energético, interoperabilidad y rendimiento superior en redes heterogéneas.
Synaptics amplía su familia de soluciones IoT Veros con el SYN20708, un system on chip (SoC) de doble núcleo diseñado para Bluetooth 5.4 y IEEE 802.15.4.
Así, este nuevo componente soporta protocolos como Bluetooth Classic, Bluetooth Low Energy (BLE), Zigbee y Thread, funcionando de manera simultánea en ambas unidades de procesamiento.
Su interoperabilidad permite conectar múltiples puntos finales en redes heterogéneas con una latencia reducida, un rango extendido y un consumo energético optimizado.
El SYN20708 se dirige a una gran variedad de aplicaciones, incluyendo hubs domésticos, sistemas de infoentretenimiento, barras de sonido, paneles de control y otros dispositivos en los sectores de consumo, automoción, salud e industria.
Mientras, dicho SoC cumple las especificaciones Matter y facilita la integración con menor coste y complejidad de diseño.
Características técnicas avanzadas
Entre sus principales características se encuentra el soporte para antenas duales con combinación de relación máxima (MRC) y formación de haces de transmisión (TxBF), contribuyendo así a aumentar el alcance en comparación con sistemas convencionales.
Por otro lado, el modelo SYN20708 también es compatible con el estándar Bluetooth 5.4 y prepara el camino para Bluetooth 6.0, incorporando funcionalidades como Channel Sounding.
Este SoC integra soporte para BLE Long Range, ángulo de salida (AoD) y ángulo de llegada (AoA), lo que garantiza una ubicación precisa en entornos IoT. Además, emplea la tecnología CoEX de Synaptics para optimizar la coexistencia de múltiples conexiones en la banda de 2,4 GHz.
Diseño compacto y resistente
Con un encapsulado FCBGA de 103 pines y un tamaño de 5,5 x 5,5 mm, el SYN20708 opera dentro de un rango de temperatura industrial de -40 a +85 °C, garantizando la fiabilidad en entornos exigentes.
El dispositivo está fabricado con tecnología de proceso de 16 nm FinFET, lo que maximiza su eficiencia energética y rendimiento.
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