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Memoria inalámbrica RFID / NFC

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Memoria inalámbrica RFID / NFC

STMicroelectronics, uno de los mayores fabricantes de semiconductores, ha ampliado su familia de IC de memorias inalámbricas RFID / NFC con un nuevo dispositivo de 16 Kbit que puede almacenar la energía suficiente para alimentar pequeños sistemas electrónicos en aplicaciones sin batería.

La tecnología ‘energy harvesting’ convierte la energía del “entorno” en electricidad. Dicha “energía ambiental” se encuentra disponible en una amplia variedad de formas, como ondas de radio, calor residual, energía kinética (del movimiento del usuario), eólica o solar, y no emite CO2 ni otros “contaminantes”.

Al utilizar esta energía, los diseñadores evitan la presencia de baterías o fuentes de alimentación externas que suelen incrementar costes, imponer restricciones de tamaño y complicar la instalación. También se reduce la necesidad de cableado de alimentación o cualquier dispositivo de recarga.

Las memorias de interface dual de ST, incluyendo el nuevo modelo de 16 Kbit, se distinguen por un interface I2C (400 kHz) de bajo consumo y un interface RF sin contacto ISO15693 de 13.56 MHz que puede almacenar las ondas de radio emitidas por lectores RFID y convertirlas en una salida de tensión para alimentar otros componentes electrónicos.

La capacidad ‘energy harvesting’ de la memoria EEPROM permite crear nuevos tipos de electrónica miniaturizada. La memoria M24LR16E de ST ya ha demostrado su valía al iluminar indicadores LED y alimentar su kit Discovery basado en el STM8L sin batería. Otras aplicaciones potenciales se encuentran en dispositivos ‘e-paper’, como etiquetas electrónicas, automatización industrial, sistemas de monitorización y productos de salud y belleza.

El M24LR16E se caracteriza por 16 Kbit de almacenamiento EEPROM no volátil, que establece una nueva opción de menor densidad junto con la memoria inalámbrica de interface dual de 64 Kbit de ST (M24LR64).

El nuevo IC de memoria, que se presenta en encapsulados SMD SO8, TSSOP8 o MLP8, también destacan por una retención de datos de hasta cuarenta años (un millón de ciclos de escritura-borrado) y tensión de alimentación de 1.8 a 5.5 V.

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