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Amplificador e interruptor integrados

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Amplificador e interruptor integradosQualcomm Incorporated ha anunciado recientemente que su subsidiaria, Qualcomm Technologies, en colaboración con ZTE, han sido los primeros en el mundo en lanzar un chip amplificador e interruptor integrados.

Qualcomm Incorporated ha anunciado recientemente que su subsidiaria, Qualcomm Technologies, en colaboración con ZTE, han sido los primeros en el mundo en lanzar un chip amplificador e interruptor integrados.

Este nuevo chip multimodo multibanda con un amplificador integrado (PA) CMOS de potencia y un switch de antena para el teléfono inteligente insignia de ZTE, el Grand S II LTE.

La comercialización exitosa del QFE2320 y del QFE2340 de Qualcomm Technologies marca un importante paso adelante para la tecnología de front end RF móvil al permitir una funcionalidad sin precedentes en los circuitos integrados con el enrutamiento simplificado y uno de los tamaños más pequeños de amplificador e interruptor integrados para antena, en la industria.

El amplificador de potencia multimodo multibanda (PA MMMB) QFE2320 con un switch de antena integrado y el PA MMMB de banda alta QFE2340 con un switch de modo transmisor/receptor integrado, son los componentes clave, junto con el QFE1100, del primer chipset de seguimiento de envoltura (ET) para los dispositivos móviles LTE 3G/4G, de la solución front end del RF360 de Qualcomm, que permite a los OEM crear un diseño multimodo único para la movilidad LTE en todo el mundo.

Posibilidades del amplificador e interruptor integrados

La combinación del QFE2320 y del QFE2340 cubre la transmisión de todos los modos celulares, incluyendo LTE TDD/FDD, WCDMA/HSPA+, CDMA 1x, TD-SCDMA y GSM/EDGE y las bandas de RF asociadas que abarcan el rango de frecuencias de 700 MHz a 2.700 MHz.

El QFE1100 ya se ha lanzado en una serie de teléfonos inteligentes comerciales a nivel mundial, y está incluido en el Grand S II LTE.

Este nuevo chip multimodo multibanda con un amplificador integrado (PA) CMOS de potencia y un switch de antena para el teléfono inteligente insignia de ZTE, el Grand S II LTE.

La comercialización exitosa del QFE2320 y del QFE2340 de Qualcomm Technologies marca un importante paso adelante para la tecnología de front end RF móvil al permitir una funcionalidad sin precedentes en los circuitos integrados con el enrutamiento simplificado y uno de los tamaños más pequeños de amplificador e interruptor integrados para antena, en la industria.

El amplificador de potencia multimodo multibanda (PA MMMB) QFE2320 con un switch de antena integrado y el PA MMMB de banda alta QFE2340 con un switch de modo transmisor/receptor integrado, son los componentes clave, junto con el QFE1100, del primer chipset de seguimiento de envoltura (ET) para los dispositivos móviles LTE 3G/4G, de la solución front end del RF360 de Qualcomm, que permite a los OEM crear un diseño multimodo único para la movilidad LTE en todo el mundo.

Posibilidades del amplificador e interruptor integrados

La combinación del QFE2320 y del QFE2340 cubre la transmisión de todos los modos celulares, incluyendo LTE TDD/FDD, WCDMA/HSPA +, CDMA 1x, TD-SCDMA y GSM/EDGE y las bandas de RF asociadas que abarcan el rango de frecuencias de 700 MHz a 2.700 MHz.

El QFE1100 ya se ha lanzado en una serie de teléfonos inteligentes comerciales a nivel mundial, y está incluido en el Grand S II LTE.

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